类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：70A
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

KIA6041P具有优异的导通电阻（RDS(on)）性能，典型值低于2.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高电源转换效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的整体响应速度。
　　KIA6041P的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。其内部结构优化，能够承受较高的瞬态电流和电压应力，确保在复杂工作环境下的可靠性。此外，TO-220封装提供了良好的散热性能，便于与散热片配合使用，进一步提升器件的热管理能力。
　　该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间的异常工况下保持稳定运行，从而提高系统的安全性。KIA6041P的封装设计也便于焊接和安装，适用于自动化生产流程，降低了制造成本。

KIA6041P广泛应用于各种电源管理与转换系统中，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的负载开关控制。此外，它也常用于服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源系统、电动工具和电动汽车的电源控制模块。
　　在电动车和储能系统中，KIA6041P可用于电池充放电控制、能量回收系统以及电机控制器中的功率开关元件。在太阳能逆变器和储能逆变器中，该MOSFET也常用于高频开关电路，以提高能量转换效率并减小系统体积。其高可靠性和良好的热性能也使其适用于高温或高湿等恶劣环境条件下的工业应用。

IRF1404、Si7466DP、NTD70N03R、TKA70N60W