时间：2025/6/11 14:05:06
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FDS4435BZ-F085 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于各种高效能电源管理应用，如 DC-DC 转换器、同步整流电路以及负载开关等场景。
此型号属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）的 FD 系列功率 MOSFET，特别针对便携式设备和其他对效率和热性能要求较高的应用进行了优化。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：6.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：740pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FDS4435BZ-F085 提供了出色的导通效率和开关性能。其主要特点如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗。
2. 高速开关能力，得益于较低的栅极电荷和输出电荷。
3. 小型化的封装形式（SOT-23），非常适合空间受限的应用。
4. 增强的热稳定性，支持长时间运行在较高环境温度下。
5. 具备反向恢复电荷小的特性，从而减少能量损失并提高系统整体效率。
这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 各种降压和升压转换器拓扑中的开关元件。
2. USB 充电器及适配器中的同步整流功能。
3. 手持设备的负载开关控制。
4. LED 驱动电路中的开关或调节元件。
5. 工业自动化控制系统的辅助电源部分。
FDS4435BZ, FDP5591, BSS138
