KIA1112ST 时间：2025/12/28 15:24:28 阅读：9

KIA1112ST是一款由Korea Electronics（KEC）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有较低的导通电阻和优异的热性能。KIA1112ST通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等应用。该器件采用TO-263封装形式，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

KIA1112ST采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件在高电流应用中表现出色，能够支持高达120A的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。此外，KIA1112ST具有良好的热稳定性，TO-263封装设计有助于有效散热，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，确保了与多种驱动电路的兼容性。器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发电压或电流冲击下的可靠性。KIA1112ST的开关特性优异，具有较短的上升和下降时间，适用于高频开关应用。这些特性使其成为高性能电源转换系统、工业控制设备和汽车电子系统中的理想选择。

应用

KIA1112ST广泛应用于各类高功率和高效率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。工业自动化设备、服务器电源、通信设备电源模块以及太阳能逆变器等产品中也常见其身影。由于其优异的导通特性和热管理能力，KIA1112ST特别适合用于需要高效能和紧凑设计的场合。