KHB9D0N50F1 时间：2025/12/28 15:02:12 阅读：21

KHB9D0N50F1 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，属于N沟道增强型MOSFET系列。该器件专为高效率、高功率密度的电源管理系统设计，适用于各种工业控制、电机驱动、电源转换以及电池供电设备等应用场景。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性使其在电源设计中具有较高的能效和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KHB9D0N50F1 MOSFET具备多项优异的电气和热性能特性。其漏源耐压（Vds）达到500V，能够在高压环境中稳定工作，适用于多种开关电源和电机控制应用。该器件的导通电阻（Rds(on)）最大为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其额定漏极电流为9A，能够在较高负载条件下提供稳定的电流传输能力。器件的栅极耐压为±30V，确保在各种驱动条件下不会因过电压而损坏。KHB9D0N50F1的功率耗散能力为50W，结合其TO-220封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定运行。工作温度范围从-55°C至150°C，适应各种恶劣的工作环境。整体而言，该MOSFET在性能、可靠性和能效方面表现出色，是许多中高功率电子系统中的理想选择。
　　此外，KHB9D0N50F1采用TO-220封装，便于安装和散热管理，适合用于PCB板上需要高功率密度的场合。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。

应用

KHB9D0N50F1 MOSFET广泛应用于各类中高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、工业自动化控制系统、照明设备（如LED驱动器）以及电池充电器等。其高耐压和较低导通电阻的特性使其在电源管理领域尤为突出，适用于需要高效能、高稳定性的电力电子设备。此外，由于其良好的热稳定性和封装设计，也适合用于散热要求较高的应用环境。