FQP8440 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电源管理与功率控制场合。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用。FQP8440 采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,适合中高功率应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):40V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):12A(在 100°C 时)
导通电阻(RDS(on)):0.026Ω(典型值,VGS=10V)
功耗(PD):35W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
FQP8440 具有多个关键特性,使其适用于广泛的功率电子应用。
首先,该器件具备较低的导通电阻(RDS(on)),典型值为 0.026Ω,这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。这对于需要高能效的电源转换器和电池供电设备尤为重要。
其次,FQP8440 的最大漏源电压为 40V,能够满足许多中低压功率应用的需求。同时,其最大连续漏极电流为 12A,在适当的散热条件下可以支持较高的负载电流,适合用于电机驱动、DC-DC 转换器和电源开关等应用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,允许使用常见的 10V 或 12V 驱动电路,从而提高与各种控制器和驱动器的兼容性。此外,±20V 的栅源电压容限提供了更好的抗过压能力,增强了器件的可靠性。
采用 TO-252(DPAK)封装的 FQP8440 提供了良好的热管理性能,便于在 PCB 上安装和散热设计,适用于自动化装配流程。
此外,FQP8440 还具有良好的抗雪崩能力和热稳定性,能够在极端条件下保持稳定运行,提高系统的整体耐用性和可靠性。
FQP8440 主要用于中高功率的电源管理和功率控制应用。例如,在 DC-DC 转换器中,该器件可以用作高边或低边开关,提供高效的能量转换。在负载开关电路中,FQP8440 可以实现对负载的快速通断控制,适用于电池供电设备的节能管理。此外,FQP8440 也广泛应用于电机驱动器、电源管理系统、LED 驱动器以及工业自动化控制系统等场合。由于其具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力,也适合用于手持设备、笔记本电脑电源管理模块以及汽车电子中的电源转换系统。
FQP8440 的替代型号包括 FQP8N40C、IRFZ44N、STP80NF55-08、FDP8870 等。这些型号在电压、电流和导通电阻方面具有相似的电气特性,可根据具体应用需求进行选型替换。