类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.65Ω
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

KHB9D0N50F1 FDPF10N50FT MOSFET具备多项优良特性，适合高性能功率应用。首先，其高耐压能力（Vds=500V）使得它能够在高压环境下稳定工作，适用于AC/DC转换器和高电压电源系统。其次，低导通电阻（Rds(on)=0.65Ω）可以有效降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的最大连续漏极电流为10A，在适当的散热条件下能够支持较高功率负载。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的热传导性能，便于安装在散热片上以提升散热效率。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准的10V驱动电路，同时也支持低电压驱动（如5V或更低），适用于现代高效能电源管理系统。器件的开关速度较快，能够适应高频开关应用，从而减小外围电路体积，提高系统整体效率。
　　此外，KHB9D0N50F1 FDPF10N50FT具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作，提升系统的可靠性和耐用性。其栅极氧化层设计优化，具备较高的栅极可靠性，适用于长期运行的工业和汽车电子应用。

该MOSFET常用于多种电源和功率控制应用中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其高压耐受能力和低导通电阻，也广泛用于LED照明驱动、电焊机、变频器和家电控制模块等高要求场景。
　　在电动汽车和新能源领域，KHB9D0N50F1 FDPF10N50FT可应用于车载充电器、DC-AC逆变器和太阳能逆变器等系统中，提供高效的功率转换和稳定的开关性能。同时，由于其良好的热稳定性和抗过载能力，也被广泛用于需要长时间连续运行的工业设备和服务器电源系统中。

FDPF10N50, FQA10N50C, IRFBC40, STF10N50, FDPF10N50F