KHB7D0N65F 时间：2025/9/12 13:10:46 阅读：5

KHB7D0N65F 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET，主要用于高效率的电源转换系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制电路。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，能够提供优异的开关性能和导通损耗表现。KHB7D0N65F 的封装形式为TO-220，适用于各种需要高功率密度和低功耗的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：7A
　　漏极峰值电流(Idp)：28A
　　导通电阻(Rds(on))：最大1.2Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：80W

特性

KHB7D0N65F 采用东芝先进的沟槽型MOSFET结构，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其650V的漏源电压额定值使其适用于高电压应用，如AC/DC电源适配器、LED照明驱动器和工业控制设备。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其TO-220封装形式具有良好的散热性能，适合于需要高可靠性和高耐压能力的电源设计。
　　KHB7D0N65F 还具备快速开关能力，有助于降低开关损耗，提高整体能效。其栅极电荷（Qg）较低，可减少驱动电路的能量消耗，同时支持高频工作。该器件的短路耐受能力也经过优化，可在异常工况下提供更高的安全裕量，防止因过载或短路引起的损坏。
　　此外，KHB7D0N65F 具备出色的抗雪崩能力，能够在极端条件下维持稳定工作，避免因电压瞬变或感应负载引起的损坏。这种特性使其在电机控制、逆变器和高可靠性电源系统中具有广泛的应用前景。