时间：2025/9/12 14:13:34
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KHB5D0N50P是一款由韩国企业生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效功率转换和控制的电子设备中。这款MOSFET采用了先进的沟道技术，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点。KHB5D0N50P通常采用TO-220或类似的封装形式，便于在各种功率应用中进行安装和散热管理。这款器件的设计使其适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关等场景。
类型：功率MOSFET
晶体管类型：N沟道
漏源电压（VDS）：500V
漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装类型：TO-220
KHB5D0N50P具有多项显著的性能特点。首先，它的漏源耐压（VDS）高达500V，能够满足高电压工作条件下的可靠性需求，适合应用在高压电源或需要电气隔离的系统中。其次，其漏极电流（ID）为5A，能够在相对较大的负载条件下稳定工作，为设计提供了充足的电流余量。
此外，KHB5D0N50P的导通电阻RDS(on)最大为1.2Ω，这一较低的导通电阻值有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。在功率MOSFET中，导通电阻直接影响导通损耗，因此该参数的优化对于设计高效节能的电路至关重要。
栅极阈值电压（VGS(th)）范围为2V~4V，这意味着器件可以在较宽的驱动电压范围内正常工作，从而兼容多种控制电路。同时，KHB5D0N50P的工作温度范围为-55°C~150°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，确保其在极端温度条件下也能可靠运行。
最后，该器件采用了TO-220封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于在各种功率电路中使用，并且易于安装在散热片上以提高热管理效率。
KHB5D0N50P广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）和电池充电器，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电源转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，作为主开关器件实现高效的电压转换。
此外，KHB5D0N50P适用于电机控制和驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器和电动工具驱动模块。在这些应用中，它能够承受较高的电压和电流应力，同时保持较低的开关损耗，提高系统的响应速度和稳定性。
该器件还可作为负载开关用于智能电源分配系统，例如工业自动化设备、服务器电源管理系统和智能家居控制模块。由于其具备较高的可靠性和较长的使用寿命，KHB5D0N50P在这些应用中可以实现高效、安全的负载控制。
除此之外，KHB5D0N50P还可用于照明控制、逆变器设计、电焊机、不间断电源（UPS）以及新能源设备（如太阳能逆变器）中，作为核心的功率开关元件。
KHB5D0N50P的替代型号包括：KSC2645, 2SK2141, 2SK1318
