3N126是一款常用的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路和功率放大器等领域。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力,适合于高效率和高可靠性的设计需求。其常见的封装形式为TO-220,便于安装和散热。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A(在25°C)
功耗(Pd):60W
工作温度范围:-55°C至+150°C
导通电阻(Rds(on)):约0.35Ω(最大值)
封装形式:TO-220
3N126具有低导通电阻,能够在高电流条件下保持较低的功耗,从而提高整体系统的效率。此外,它具有良好的热稳定性和过载能力,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,兼容常见的10V和12V驱动电路,适用于多种开关应用。3N126还具有较高的击穿电压,能够承受瞬态高压冲击,提高了电路的可靠性。
其TO-220封装形式不仅便于安装在散热片上,还能有效降低热阻,确保器件在高功率运行时的稳定性。3N126的响应速度快,适合高频开关应用,有助于减小电源系统的体积和重量。
3N126常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电器以及功率放大器等应用中。在这些应用中,3N126能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。此外,它也可用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的功率管理电路。
IRF540, FQP12N10L, 2N6755, FDP12N10