类型：射频功率晶体管
　　技术：硅双极性晶体管（Si BJT）
　　最大集电极电流（Ic）：1.5 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　频率范围：DC至1 GHz
　　输出功率：25 W（典型值，1 GHz时）
　　增益：12 dB（典型值，1 GHz时）
　　阻抗匹配：50 Ω输入/输出
　　封装类型：SC-66（SOT-363）

TGA8622-SCC作为一款高性能的射频功率晶体管，具备多个显著特性。首先，它具有较高的功率增益，能够在广泛的频率范围内保持稳定的放大性能，这使得它非常适合用于射频功率放大器的设计。其次，该晶体管在1 GHz频率下的输出功率可达25 W，这使得它在高功率通信系统中表现优异。此外，该器件的线性度较好，能够有效降低信号失真，提升通信质量。由于其采用50 Ω输入/输出阻抗匹配设计，TGA8622-SCC可以方便地集成到各种射频电路中，无需额外的匹配网络。同时，该晶体管的最大功耗为50 W，具备良好的散热性能，可在高功率条件下长时间稳定工作。封装方面，TGA8622-SCC采用SC-66（SOT-363）封装，体积小巧，便于安装和集成在高密度电路板上。

TGA8622-SCC广泛应用于射频通信系统、基站功率放大器、无线基础设施、工业射频设备以及测试和测量仪器等领域。由于其高频性能和高输出功率，它特别适合用于无线通信基站中的射频功率放大模块，以提高信号传输距离和覆盖范围。此外，该晶体管也适用于射频测试设备，如信号发生器和频谱分析仪中的功率放大环节。在工业应用中，TGA8622-SCC可用于射频加热、等离子体生成等设备中的功率控制模块。同时，由于其良好的线性度和低失真特性，该器件也适用于需要高保真信号放大的场合，如广播发射机和卫星通信设备中的射频放大单元。

TGA8624-SCC, TGF2023-SM, TGF2026-SM