电容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：80V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：1210（公制3225）
　　电介质材料：X7R
　　损耗角正切（tanδ）：≤2.5%
　　绝缘电阻：≥10000MΩ

KHB4D0N80F 具备多项优良特性，使其在各种电路设计中表现出色。首先，其采用X7R电介质材料，具有优异的温度稳定性，在-55°C至+125°C范围内电容值变化不超过±15%。其次，该电容器的容差为±20%，适合对容值精度要求不十分苛刻的应用场合。此外，其额定电压高达80V，可满足中高压电路的滤波和去耦需求。
　　在结构方面，KHB4D0N80F采用1210（公制3225）封装尺寸，兼顾了体积与焊接稳定性的平衡，适用于高密度PCB布局。该器件具备低损耗特性，损耗角正切（tanδ）小于等于2.5%，减少了高频应用中的能量损失。同时，其绝缘电阻大于等于10,000MΩ，确保了良好的电绝缘性能。
　　作为KEMET公司生产的高性能MLCC，该型号还具有良好的机械强度和抗热冲击能力，能够在恶劣环境中稳定工作。其表面贴装封装设计也便于自动化贴片工艺，提高了生产效率和装配精度。

KHB4D0N80F 多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子设备和系统中。在工业控制领域，它常用于电源模块的输入/输出滤波、DC-DC转换器的去耦电容，以及PLC控制板的信号处理电路中。在汽车电子方面，该器件适用于车载电源系统、LED照明驱动电路和车载娱乐系统的电源滤波部分。
　　此外，KHB4D0N80F 还常见于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中的电源管理电路，用于提供稳定的电压滤波和瞬态响应。在通信设备中，该电容器可用于射频模块的旁路和低噪声放大器的电源去耦，以提升信号质量和系统稳定性。
　　由于其高可靠性与宽温工作特性，该型号也被广泛应用于医疗电子设备、安防监控系统和智能家居控制系统中，作为关键的储能与滤波元件，确保设备在各种环境下的稳定运行。

C4532X5R1H475K
　　C3225X5R1H475K
　　CL21B475KOHNNNE
　　C2012X5R1H475K