KHB3D0N70P 时间：2025/12/28 14:54:43 阅读：18

KHB3D0N70P 是一款由Kanghua（康华）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高压、大电流类型的功率器件。该器件通常用于电源管理、开关电源、电机控制、逆变器以及各种需要高效率功率开关的场合。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于高频率开关操作。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：700V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

KHB3D0N70P MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（700V Vds）使其适用于高压电源转换系统，如AC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路等。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，KHB3D0N70P具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，其TO-220封装设计有利于散热，提高器件在高功率应用中的可靠性。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高整体系统的功率密度。
　　在安全性和可靠性方面，KHB3D0N70P具备较强的抗过载和短路能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V至15V驱动电路，方便与各类控制器或驱动IC配合使用。

应用

KHB3D0N70P广泛应用于各类功率电子系统中，特别是在开关电源（SMPS）中作为主开关器件使用。例如，在AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源、工业电源模块中均可看到其身影。此外，该器件也适用于电机驱动电路、电磁炉、UPS不间断电源、逆变器、光伏逆变系统等高电压、中等功率场合。
　　由于其良好的开关性能和耐压能力，KHB3D0N70P还可用于功率因数校正（PFC）电路中，作为Boost升压开关，帮助提升系统的功率因数和效率。在家电控制电路中，如智能电表、变频空调等设备中也有应用潜力。