类型：N沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：30A
　　漏源电压（Vds）：1350V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.35Ω（最大值0.42Ω）
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

KGF30N135NDH 是一款高压、高功率的N沟道MOSFET，适用于高电压开关应用。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：漏源电压（Vds）高达1350V，适用于高压电源和工业控制电路。
　　2. 低导通电阻：典型Rds(on)为0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 高电流承载能力：连续漏极电流可达30A，适合中高功率的应用场景。
　　4. 优秀的热性能：采用TO-247封装，具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。
　　5. 高可靠性：具有良好的雪崩能量承受能力和短路耐受能力，适用于严苛的工作环境。
　　6. 宽栅极电压范围：±30V栅极电压容限，提高了驱动电路的设计灵活性。
　　7. 快速开关特性：适合高频开关应用，如DC-DC转换器、电源适配器等。
　　该器件广泛应用于工业电源、电机控制、UPS系统、光伏逆变器、充电器和LED照明驱动等高压功率系统中。

KGF30N135NDH 适用于多种高压和高功率应用场景，包括但不限于：
　　1. 工业电源系统：用于高压直流电源、工业控制设备的开关电源模块。
　　2. DC-DC转换器：适用于高输入电压的DC-DC变换电路，如通信电源、服务器电源等。
　　3. 电机驱动和逆变器：用于无刷直流电机驱动、光伏逆变器、UPS不间断电源等。
　　4. 充电器和适配器：适用于高压输入的充电器、电池管理系统等。
　　5. LED照明驱动：用于高压LED照明系统的恒流驱动电路。
　　6. 高压开关控制：用于继电器替代、高压负载开关等控制电路。
　　该MOSFET的高耐压、高电流能力和低导通电阻使其成为高压功率电子设备的理想选择。

KGF30N135NDT, KGF30N120NDH, KGF25N135NDH