型号：IRF7488
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）@25°C：200A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：600A
　　最大功耗（PD）：250W
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.75mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：1.2mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值2.0V，范围1.6~2.4V
　　输入电容（Ciss）：典型值10500pF
　　输出电容（Coss）：典型值2600pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值18ns
　　栅极电荷（Qg）@10V：典型值200nC
　　封装类型：PG-HSOF-8
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　引脚数：8
　　极性：增强型N沟道

IRF7488具备卓越的导通与开关性能，其核心优势在于采用了英飞凌先进的TrenchStop?沟槽式场截止技术，该技术通过优化电场分布，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时保持了优异的击穿电压特性。在VGS=10V时，RDS(on)仅为0.75mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少导通损耗，提升系统效率。此外，其在低驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的RDS(on)（1.2mΩ），增强了对低电压控制逻辑的兼容性，特别适用于由PWM控制器直接驱动的同步整流拓扑。
　　该器件的开关特性经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而显著降低了开关过程中的能量损耗，尤其在高频开关电源（如多相VRM、DC-DC变换器）中表现突出。其输入电容Ciss为10500pF，输出电容Coss为2600pF，有助于减小驱动电路的负担并提高响应速度。反向恢复时间trr仅为18ns，配合体二极管的快速恢复能力，有效抑制了开关瞬态过程中的电压尖峰和振荡，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　IRF7488采用PG-HSOF-8封装，该封装具有低热阻特性，结到外壳热阻（RthJC）约为0.1°C/W，能够高效地将芯片热量传导至PCB，提升散热效率。其8引脚设计支持开尔文源极连接，可实现驱动回路与功率回路的分离，避免因共源电感引起的栅极振荡和误开通，进一步提升开关稳定性。此外，该器件具备优良的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下安全运行，增强了系统鲁棒性。
　　工作温度范围覆盖-55°C至+175°C，使其适用于极端环境下的工业和汽车电子应用。器件通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、机械冲击等可靠性测试中表现优异，适合用于车载电源、OBC（车载充电机）等高可靠性要求的场景。综合来看，IRF7488是一款集低损耗、高可靠性、高集成度于一体的先进功率MOSFET，代表了现代高密度电源系统对功率器件的核心需求。

IRF7488广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。主要应用场景包括服务器和数据中心的多相电压调节模块（VRM），在这些系统中，处理器核心供电要求大电流、低电压输出，IRF7488凭借其极低的RDS(on)和优异的热性能，可作为上管或下管用于同步整流，显著降低导通损耗，提升能效。在通信电源和电信整流器中，该器件用于DC-DC中间母线转换器，支持高频率开关以缩小磁性元件体积，满足高功率密度需求。
　　在工业电源领域，IRF7488适用于大功率开关电源、UPS不间断电源和电机驱动中的功率级设计。其高电流承载能力和良好的热管理特性使其能在持续高负载条件下稳定运行。此外，在电动汽车相关应用中，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的辅助电源模块。由于其通过AEC-Q101认证，符合汽车电子的可靠性标准，因此在新能源汽车电源系统中具有重要应用价值。
　　其他应用还包括高亮度LED驱动电源、太阳能逆变器的辅助电源部分、以及高性能计算设备的板级电源解决方案。在这些应用中，IRF7488的快速开关能力和低电磁干扰特性有助于满足严格的EMI规范。其紧凑的封装也便于在空间受限的设计中实现高密度布局，同时通过PCB散热设计实现高效热管理。总体而言，IRF7488适用于所有要求高效率、高可靠性和高电流密度的现代电力电子系统。

IRF7489
　　IRF7470
　　IRF7472
　　BSC080N03LS G
　　BSC090N03LS G