KGF25N120KDA 是一款由东芝(Toshiba)生产的高耐压、大电流的N沟道功率MOSFET,适用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装,具有良好的热稳定性和电气性能,广泛应用于工业电源、逆变器、电机驱动和电源转换系统中。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):1200V
漏极电流(Id):25A(Tc=25℃)
栅源电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):典型值0.25Ω(最大0.32Ω)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55℃~150℃
封装形式:TO-247AD
KGF25N120KDA MOSFET采用了先进的平面硅工艺技术,具有优异的导通特性和高耐压能力。其主要特点包括:
1. 高耐压能力:漏源击穿电压达到1200V,适合高压系统应用。
2. 低导通电阻:典型Rds(on)为0.25Ω,有助于降低导通损耗,提高效率。
3. 高电流容量:连续漏极电流可达25A,在高功率应用中表现优异。
4. 快速开关特性:具有较低的开关损耗,适合高频开关应用。
5. 热稳定性好:TO-247封装具备良好的散热性能,适合高功率密度设计。
6. 栅极保护:栅源间具有±30V的过压耐受能力,提高了器件的可靠性。
此外,该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和抗雪崩击穿能力,适用于恶劣工作环境。
KGF25N120KDA MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中,包括:
1. 工业电源与UPS系统:用于高频开关电源和不间断电源系统中的功率转换。
2. 电机驱动和变频器:在交流电机控制和变频驱动系统中作为功率开关使用。
3. 太阳能逆变器:用于太阳能发电系统的DC-AC转换电路中。
4. 电动汽车充电设备:在EV充电模块中作为主开关器件。
5. 高压DC-DC转换器:适用于高压输入、中等功率输出的电源转换系统。
6. 电焊机与工业加热设备:用于高频逆变焊接电源和感应加热设备。
其高耐压、低导通损耗和良好热性能使其成为高压功率转换领域的优选器件。
TK25N120K5(东芝)、STW25NK12Z(意法半导体)、IXFH24N120(Littelfuse IXYS)、SiHP120N60E(Siliconix)