KGF25N120KDA 时间：2025/9/12 14:34:11 阅读：44

KGF25N120KDA 是一款由东芝（Toshiba）生产的高耐压、大电流的N沟道功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装，具有良好的热稳定性和电气性能，广泛应用于工业电源、逆变器、电机驱动和电源转换系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　漏极电流(Id)：25A（Tc=25℃）
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.25Ω（最大0.32Ω）
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-247AD

特性

KGF25N120KDA MOSFET采用了先进的平面硅工艺技术，具有优异的导通特性和高耐压能力。其主要特点包括：
　　1. 高耐压能力：漏源击穿电压达到1200V，适合高压系统应用。
　　2. 低导通电阻：典型Rds(on)为0.25Ω，有助于降低导通损耗，提高效率。
　　3. 高电流容量：连续漏极电流可达25A，在高功率应用中表现优异。
　　4. 快速开关特性：具有较低的开关损耗，适合高频开关应用。
　　5. 热稳定性好：TO-247封装具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　6. 栅极保护：栅源间具有±30V的过压耐受能力，提高了器件的可靠性。
　　此外，该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和抗雪崩击穿能力，适用于恶劣工作环境。

应用

KGF25N120KDA MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括：
　　1. 工业电源与UPS系统：用于高频开关电源和不间断电源系统中的功率转换。
　　2. 电机驱动和变频器：在交流电机控制和变频驱动系统中作为功率开关使用。
　　3. 太阳能逆变器：用于太阳能发电系统的DC-AC转换电路中。
　　4. 电动汽车充电设备：在EV充电模块中作为主开关器件。
　　5. 高压DC-DC转换器：适用于高压输入、中等功率输出的电源转换系统。
　　6. 电焊机与工业加热设备：用于高频逆变焊接电源和感应加热设备。
　　其高耐压、低导通损耗和良好热性能使其成为高压功率转换领域的优选器件。