HY5DU573222F-28 时间：2025/9/2 9:15:40 阅读：25

HY5DU573222F-28是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高容量、高速度的存储器解决方案。该型号属于256MB容量级别的DRAM芯片，常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及计算机外设等需要较大缓存的应用场合。该芯片采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具备良好的电气性能和散热特性。

参数

容量：256MB
　　类型：DRAM
　　封装：FBGA
　　电压：2.5V
　　数据宽度：16位
　　频率：166MHz
　　时钟速率：166MHz
　　刷新周期：64ms
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　数据传输率：166MHz

特性

HY5DU573222F-28作为一款高性能DRAM芯片，具备多项优良特性。其166MHz的时钟频率使得数据传输速率较高，适用于需要快速响应的系统应用。此外，该芯片采用FBGA封装，具有更小的体积和更低的功耗，适合高密度PCB布局和便携式设备的设计需求。其工作电压为2.5V，符合当时主流的低功耗设计标准，有助于降低系统整体能耗。芯片内部集成了刷新控制电路，支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在断电前的完整性。此外，其64ms的刷新周期能够满足大多数嵌入式系统对存储器稳定性的要求，同时在工业级温度范围内（0°C至70°C）保持稳定运行。

应用

HY5DU573222F-28广泛应用于多种电子系统中，包括但不限于：工业控制设备、通信设备、嵌入式系统、打印机、扫描仪、路由器、交换机、视频采集设备以及数字监控系统等。在这些应用中，该芯片可作为主存储器或高速缓存使用，提高系统的数据处理能力和响应速度。此外，由于其高可靠性和稳定的性能，也被用于部分老款服务器和嵌入式计算机平台。