时间：2025/12/28 15:53:52
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KGF15N60FDA是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器等高功率电子设备中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，能够在高频率下高效工作。KGF15N60FDA采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于多种工业和消费类电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：15A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：100W
KGF15N60FDA具有多项优异的电气特性和可靠性，适用于高功率和高频率的应用环境。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，其600V的漏极-源极击穿电压（VDS）使其适用于多种高压应用，如开关电源和逆变器系统。此外，该器件的栅极-源极电压（VGS）范围较宽，支持±30V，增强了其在复杂电路中的稳定性。KGF15N60FDA的TO-220封装设计具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高整体系统性能。最后，其工作温度范围从-55°C到150°C，适应各种恶劣的工作环境，具有较高的可靠性和耐用性。
KGF15N60FDA主要应用于各类高功率和高频率的电子设备中，包括开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS系统、工业控制设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，使其在需要高效能功率转换和稳定性的应用中表现出色。
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