时间：2025/12/28 16:07:05
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KU3600N10RZ 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高电流和高功率的应用。该MOSFET具有低导通电阻和高耐用性，适合用于电源管理、电机控制和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
功率耗散（Pd）：200W
封装类型：TO-247
KU3600N10RZ MOSFET的主要特性之一是其极低的导通电阻，最大仅为10mΩ，这使得器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高效率。该器件的漏源电压额定值为100V，连续漏极电流可达到80A，能够处理较高的功率负载。
此外，KU3600N10RZ采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的开关性能和热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其高耐用性也使其适用于频繁开关操作的应用，例如DC-DC转换器、电机驱动和工业电源系统。
该MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适用于需要高功率密度的电子系统设计。
KU3600N10RZ MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能电源管理系统中的理想选择。此外，由于其卓越的热稳定性和耐用性，它也适用于汽车电子系统、电池管理系统和太阳能逆变器等高要求的工业应用。
TKA3600N10RZ, IRF3710Z, STP80NF10
