封装尺寸：2012 (2.0mm x 1.2mm)
　　电感值：0.82μH
　　允差：±20%
　　额定电流（Isat）：根据典型规格约为1.5A（具体以实测为准）
　　直流电阻（DCR）：典型值约90mΩ
　　自谐振频率（SRF）：通常大于100MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　最大工作电压：取决于应用环境，一般低于50V

NM2012NR82M作为一款小型表面贴装功率电感，具备多项关键特性，使其适用于现代高频开关电源系统。首先，其采用紧凑的2012封装，在保证足够电感量的同时实现了极高的空间利用率，特别适合高度集成的移动设备PCB布局。该电感通过优化的绕线结构和高性能磁性材料的结合，展现出优异的电流处理能力，尤其是在DC-DC升压或降压电路中能够承受瞬态大电流冲击而不发生磁饱和现象。这种抗饱和特性对于维持输出电压稳定性和提高电源效率至关重要。同时，较低的直流电阻（DCR）有效减少了铜损，提升了整体能效，延长了电池供电设备的续航时间。
　　其次，该器件具有良好的频率响应特性，自谐振频率（SRF）通常高于100MHz，意味着在常见的开关电源工作频率范围内（如1MHz以下），其阻抗主要表现为纯电感性，不会因寄生电容影响而产生谐振失真。这有助于抑制高频噪声并增强滤波效果，从而改善电源纹波性能。此外，其封闭式磁路设计提供了较强的磁屏蔽能力，显著降低了对外部元件的电磁干扰（EMI），有利于满足EMC认证要求。
　　再者，NM2012NR82M具备出色的热稳定性和环境适应性。其材料体系能够在-40°C至+125°C的宽温范围内保持电气参数的一致性，避免因温度波动导致的性能漂移。外壳采用耐高温环氧树脂封装，不仅增强了机械强度，还具备一定的防潮、防腐蚀能力，适用于恶劣工作环境下的长期运行。最后，该电感支持自动贴片安装，兼容标准回流焊接工艺，便于大规模生产，提高了制造效率与良率。综合来看，尽管该型号可能缺乏详细公开的技术文档支持，但其基本性能指标表明其可用于中低端电源模块中，作为储能或滤波元件发挥重要作用。

NM2012NR82M主要用于各类便携式电子设备的电源管理系统中，典型应用场景包括智能手机、平板电脑、智能手表及其他可穿戴设备中的DC-DC转换电路。在这些设备中，它常被用作降压（Buck）或升压（Boost）变换器的储能电感，负责将电池电压高效地转换为处理器、显示屏、传感器等不同模块所需的工作电压。例如，在SoC（系统级芯片）供电路径中，多个NM2012NR82M可分别服务于核心电压、I/O电压和射频模块电源轨，确保各部分获得稳定且低噪声的电力供应。
　　此外，该电感也广泛应用于物联网终端、无线模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）、小型传感器节点和TWS耳机等低功耗嵌入式系统中，用于电源滤波和能量存储。在这些场景下，其小体积和高效率特性尤为关键，有助于实现轻薄化设计并延长待机时间。工业控制领域的微型PLC、智能仪表和传感器信号调理电路也可能采用此类电感，以提升电源抗干扰能力和系统稳定性。
　　在LED驱动电路中，NM2012NR82M可用于恒流源拓扑结构中，作为限流储能元件，帮助实现亮度调节和平滑发光。同时，在便携式医疗设备如血糖仪、体温计或健康监测手环中，该电感也为精密模拟电路提供干净的电源，减少开关噪声对测量精度的影响。
　　值得注意的是，由于其额定电流和电感值适中，不建议将其用于高功率或大电流输出场合（如超过2A的连续负载），以免引发过热或磁饱和问题。总体而言，该器件更适合于中低功率、高频开关环境下的电源去耦、滤波与能量转换任务，是现代小型化电子产品中不可或缺的基础被动元件之一。

LQM2MPN82NJ00
　　DLW21HN821XK2
　　ILSB2012-R82