类型：功率MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏-源电压（VDS）：1200V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.85Ω（最大值可能为1.2Ω）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247
　　极性：N沟道

KGF15N120KDA-U/PE MOSFET具有多项优秀的电气和热性能。首先，其高耐压能力（1200V VDS）使其适用于高压电源转换系统，如AC-DC和DC-DC变换器。其次，低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下运行。该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高响应速度。最后，其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，同时便于安装和使用。
　　在安全性和保护方面，KGF15N120KDA-U/PE具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压冲击，提高系统的抗干扰能力。此外，该器件的栅极驱动要求较低，通常可由标准的MOSFET驱动器直接驱动，简化了外围电路设计。这些特性共同使得该MOSFET在工业和高可靠性应用中具有广泛的应用前景。

该器件主要应用于各种高功率、高压的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中作为主开关器件，用于高效能电源转换；在逆变器系统中作为功率开关，实现DC到AC的转换，广泛用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）；在电机控制应用中，作为H桥或半桥电路的一部分，用于控制直流电机或步进电机的运行；此外，它还可用于高压LED驱动器、工业自动化设备和电源管理系统等领域。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET特别适合需要高效率和紧凑设计的现代电力电子设备。

SGW25N120HD、IRGP50B60PD1、FGL40N120AND、STW25NK12Z