时间：2025/8/14 19:06:39
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2N7002W_R1_00001 是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压开关电路和逻辑电平控制。该器件具有高开关速度、低导通电阻以及良好的热稳定性能，适用于各种消费类电子产品和工业控制设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：300mA（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约5Ω（最大值）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23（SC-59）
2N7002W_R1_00001 MOSFET的主要特性包括其高速开关能力，适用于数字和模拟电路中的信号切换。该器件具有较高的栅极绝缘性能，确保在各种工作条件下稳定运行。此外，其低导通电阻可以减少功率损耗并提高能效。该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗静电能力，使其在恶劣环境中也能保持可靠性。
此MOSFET采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。它常用于低电流负载的开关控制，例如LED驱动、继电器驱动、小型电机控制以及电源管理电路中。由于其栅极驱动电压范围较宽，因此兼容多种逻辑电平控制电路，如TTL和CMOS集成电路。
此外，2N7002W_R1_00001在过热或过载情况下表现出良好的稳定性，有助于提高整体系统的可靠性和寿命。
2N7002W_R1_00001 主要应用于以下领域：小型电子设备中的电源开关控制、信号路由、负载驱动（如LED、小型继电器和微型电机）、逻辑电平转换、低电压DC-DC转换器以及电池管理系统。此外，它也常用于传感器接口电路、工业自动化设备、家用电器和汽车电子模块中。由于其SOT-23封装形式的紧凑尺寸，该器件非常适合用于空间受限的便携式电子设备设计。
2N7002, BSS138, 2N7002K, 2N7002LT
