类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：79A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约3V至5V（典型值4V）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.11Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：300W（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　安装类型：通孔
　　技术：高压MOSFET技术
　　封装材料：塑料

FMW79N60S1FDHF-S31PP具备多项优异的电气和热性能，确保在高压、高电流的应用环境下仍能保持稳定和高效的工作状态。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。其次，其高达600V的漏源电压（Vds）使其适用于多种高压应用，如开关电源和电机控制。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行，具备较高的可靠性。其TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还简化了在高功率电路中的安装和使用。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而进一步提高系统效率并降低整体温升。这些特点使得FMW79N60S1FDHF-S31PP成为许多高性能电源和工业控制设备的首选功率器件。

FMW79N60S1FDHF-S31PP广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）系统、电动工具、电机驱动器以及工业自动化控制系统。在这些应用中，该MOSFET可以作为主开关元件，负责高效地控制电源的传输和转换。此外，该器件也可用于照明系统、电池管理系统以及新能源领域的逆变器设备，如太阳能逆变器等。由于其高压、高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合需要高可靠性和长寿命的工业和自动化控制系统。

IXFH75N60P、STW79N60M2、IRFPG50、FGL79N60SFD