KF9N50F-U/P 时间：2025/9/12 11:53:53 阅读：30

KF9N50F-U/P 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等高功率电子系统中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（500V）和较高的电流承载能力，适用于高效率和高可靠性的设计需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：500V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.65Ω @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KF9N50F-U/P 具备优异的导通特性和开关性能，能够在高频条件下稳定工作。其低导通电阻不仅降低了导通损耗，还提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高温环境下正常运行。内置的体二极管提供了反向电压保护，适用于感性负载应用，如电机驱动和继电器控制。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，确保了良好的一致性和可靠性。其TO-220封装形式便于散热设计，适合在多种PCB布局中使用。KF9N50F-U/P 还具有较高的dv/dt抗扰能力，有助于防止由于快速电压变化引起的误触发问题。
　　在实际应用中，KF9N50F-U/P 的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间工作，确保了良好的导通性能，同时也兼容多种驱动电路设计。

应用

KF9N50F-U/P 主要用于各种功率电子设备中，如开关电源、AC-DC适配器、LED驱动器、逆变器、UPS不间断电源系统、电池管理系统以及工业自动化设备中的电机控制模块。此外，该MOSFET也常用于家用电器（如电饭煲、电磁炉）的功率控制电路中，以实现高效能和高稳定性的运行。
　　在电源设计中，KF9N50F-U/P 常用于Boost升压电路、Buck降压电路以及半桥/全桥拓扑结构中的开关元件。其高耐压和中等电流特性也使其适用于中功率的DC-AC逆变系统，如太阳能逆变器或车载电源转换器。