类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-26A（Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 80mΩ @ VGS = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功率耗散（PD）：250W

IXTA26P20P TRL 具有多个显著特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低，最大仅为 80mΩ，在 VGS = -10V 时能够显著减少导通损耗，提高系统效率。这种低 RDS(on) 特性对于高电流应用尤为重要，因为它可以降低功率损耗并减少发热。
　　其次，该器件支持高达 200V 的漏源电压（VDS），适用于中高功率应用，如电源转换器和电机控制器。其 ±20V 的栅源电压耐受能力也为设计者提供了更大的灵活性，确保在各种工作条件下栅极驱动的稳定性。
　　此外，IXTA26P20P TRL 的最大连续漏极电流为 -26A，这使其能够承受较高的负载电流，适用于需要大电流驱动的场景。其 TO-220AB 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能方便地安装在标准的 PCB 上，并支持使用散热片以进一步提高散热效率。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，具备良好的热稳定性，适用于各种严苛环境下的应用。其 250W 的最大功率耗散能力也表明其在高温环境下仍能保持稳定的性能。
　　综上所述，IXTA26P20P TRL 是一款性能优异的功率 MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性和高耐压能力的电子系统。

IXTA26P20P TRL 广泛应用于多种电力电子设备中。其主要用途包括 DC-DC 转换器和开关电源（SMPS），在这些应用中，该器件的低导通电阻和高耐压能力能够显著提升转换效率并减少发热。此外，它还常用于电机驱动和负载开关电路，能够有效控制大电流负载的开启和关闭。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，该 MOSFET 也适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统等对可靠性要求较高的领域。

IXTA26P20P, IXTS26P20P, IRF9640, FQP26P20