品牌：Fujitsu
　　类型：FRAM（铁电存储器）
　　容量：16 Kbit (2 K × 8)
　　接口类型：SPI（四线制：SI, SO, SCK, CS#）
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大时钟频率：20 MHz
　　写入耐久性：10^12 次
　　数据保持时间：10 年（在+85°C下）
　　封装形式：8-DIP 或 8-SOP
　　组织结构：2048 × 8 位
　　写入周期时间：无延迟（字节写入即时完成）
　　待机电流：典型值 10 μA
　　工作电流：典型值 2 mA（在 1 MHz SPI 速率下）

MB85RS16的核心特性之一是其基于铁电技术的非易失性存储单元，这使其在断电后仍能永久保存数据，同时具备类似RAM的高速读写性能。传统的EEPROM或Flash在每次写入前需要擦除操作，且写入速度较慢，通常需要毫秒级的等待时间，而MB85RS16无需擦除步骤，写入操作在纳秒级别内完成，显著提升了系统的响应速度和数据记录效率。这一特性特别适用于需要高频采集和存储传感器数据的应用场景，例如智能电表、环境监测设备或工业PLC控制系统。由于没有擦除过程，也避免了因电源突然中断而导致的数据损坏问题，提高了系统的可靠性和容错能力。
　　另一个重要特性是其超高的写入耐久性。普通EEPROM的写入寿命约为10万次，而MB85RS16可达10^12次，即一万亿次读写操作，远远超过绝大多数应用场景的需求。这意味着在长时间连续运行的系统中，无需担心存储器因频繁写入而失效，从而大幅延长设备使用寿命并降低维护成本。此外，该芯片支持全地址空间自由读写，无需块或扇区管理，简化了软件开发流程。
　　在功耗方面，MB85RS16表现出优异的能效特性。其工作电流仅为几毫安，待机电流低至10μA以下，非常适合电池供电或能量受限的嵌入式系统。即使在低电压条件下（最低2.7V），也能保证稳定通信和数据完整性。SPI接口遵循标准模式（Mode 0和Mode 3兼容），易于与各种主控MCU集成，无需额外电平转换电路。内置写保护机制可通过指令控制，防止意外修改重要配置信息。总体而言，MB85RS16以其高可靠性、高速度、长寿命和低功耗，成为高性能非易失性存储解决方案的理想选择。

MB85RS16广泛应用于多个对数据完整性和写入性能有严苛要求的领域。在工业自动化系统中，常用于PLC控制器、远程I/O模块和现场总线设备中，用于实时记录运行参数、故障日志和校准数据。由于其抗干扰能力强且写入无延迟，能够在恶劣电磁环境中稳定工作，确保生产过程的数据可追溯性。
　　在智能计量设备如电表、水表、气表中，MB85RS16用于保存累积用量、费率信息和事件记录。这些设备通常依赖电池供电多年运行，且需每分钟甚至更短时间间隔写入一次数据，传统EEPROM难以承受如此高的写入频率，而MB85RS16则能轻松应对，保障数据不丢失且存储器不失效。
　　在医疗电子设备中，如便携式监护仪、血糖仪和输液泵，该芯片用于存储患者治疗记录、设备配置和自检结果。医疗设备对数据安全性和可靠性要求极高，MB85RS16的非易失性和高耐久性正好满足此类需求。
　　汽车电子领域中，它可用于车载黑匣子、ECU参数备份和里程记录等应用，能够在极端温度环境下可靠运行。此外，在POS终端、打印机、条码扫描器等商业设备中，MB85RS16用于保存交易记录、打印任务队列和用户设置，提升设备响应速度和用户体验。
　　随着物联网的发展，越来越多边缘节点设备需要本地缓存传感器数据并定期上传，MB85RS16因其低功耗和快速写入特性，成为这类应用的理想存储方案。无论是无线传感器网络还是远程监控系统，都能从中获得更高的系统稳定性与数据安全性。

Cypress/Infineon FM25V02A
　　Rohm BU9822FUV-M
　　Texas Instruments FM25CL64B-SD
　　Everspin Technologies MR25H10C