时间：2025/7/2 13:47:02
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FN18X563K500PBG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提高系统性能。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，适合高频应用场合。其封装形式为PBG（PowerBridge），具有良好的散热性能和电气连接能力。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至175℃
FN18X563K500PBG的核心特点是其极低的导通电阻，仅为1.8mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色。同时，该器件还具备快速开关速度，降低了开关损耗。
此外，其PBG封装设计优化了热传导路径，从而提高了整体系统的可靠性。由于其宽广的工作温度范围，从-55℃到175℃，因此可以适应各种恶劣环境下的使用需求。
该器件支持高频率操作，并且拥有较高的雪崩击穿能量，进一步增强了其耐用性和鲁棒性。
FN18X563K500PBG广泛用于工业和消费类电子产品领域。典型应用场景包括：
1. 开关电源中的同步整流
2. 电动工具和家用电器的电机驱动
3. 高效DC-DC转换器设计
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备
5. 各种需要高效功率转换的场景，例如负载切换或电池管理系统
IRF2807,
STP200NF5,
FDP18N50,
INFINEON_BSC018N06NS3
