P08-040HLC-E-G 时间：2025/8/30 4:10:45 阅读：21

P08-040HLC-E-G 是一款由Panasonic（松下）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换系统设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动电路等应用场景。P08-040HLC-E-G 采用表面贴装封装（如PowerPAK 8x8），具有良好的热管理和电气性能，适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：40A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：8.0mΩ（最大值，典型值可能更低）
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerPAK 8x8 或类似高性能封装

特性

P08-040HLC-E-G 的主要特性包括：低导通电阻（Rds(on)）显著降低导通损耗，提高系统效率；采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现更高的电流密度和更小的芯片尺寸；具有优异的热性能，适合高功率应用；栅极设计优化，降低了开关损耗，提高了开关速度；具备良好的短路耐受能力，增强了系统可靠性；符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备制造。
　　此外，该器件的封装形式（如PowerPAK 8x8）采用了双面散热技术，能够有效降低热阻，提升散热效率，确保在高负载条件下的稳定运行。其宽广的工作温度范围使其能够在极端环境下正常工作，适用于工业控制、汽车电子、服务器电源等高要求领域。