DS1249Y-200IND+ 是 Maxim Integrated 公司生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM) 芯片。它结合了高速 SRAM 和非易失性铁电存储器 (FRAM) 的特性,能够在断电时自动保存数据,并在上电时恢复。该芯片适用于需要高可靠性和快速数据记录的应用场景。
DS1249Y-200IND+ 提供了 512Kb(64KB)的存储容量,采用标准 SPI 接口进行通信。其设计确保了数据在断电情况下不会丢失,同时支持无限次读写操作,避免了传统 EEPROM 或闪存可能存在的写入疲劳问题。
存储容量:512Kb(64KB)
接口类型:SPI
工作电压:1.8V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOIC-8
数据保持时间:超过10年
读写次数:无限次
DS1249Y-200IND+ 具有以下显著特性:
1. 高速性能:支持高达 20MHz 的 SPI 时钟频率,可实现快速数据传输。
2. 自动数据保护:内置电源管理电路,在检测到掉电情况时会自动将 SRAM 数据备份到 FRAM 中。
3. 非易失性存储:无需外部电池即可在断电后保存数据。
4. 低功耗设计:待机模式下的电流消耗极低,非常适合便携式或低功耗应用。
5. 简化的系统设计:通过集成 FRAM 和 SRAM,减少了对外部组件的需求,降低了设计复杂度。
6. 可靠性高:支持无限次读写循环,适合频繁更新数据的应用环境。
该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 工业控制:用于数据日志记录、配置参数保存等。
2. 医疗设备:如监护仪、血糖仪等,用以存储关键测量数据。
3. 计量仪器:如智能电表、水表等,保存累积使用量信息。
4. 消费类电子产品:例如打印机、扫描仪中的固件和临时数据存储。
5. 汽车电子:记录车辆运行状态或故障诊断信息。
6. 通信设备:在网络设备中存储网络配置或状态信息。
DS1248Y-200IND+, DS1249C-200IND+