时间：2025/12/28 15:24:58
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KF9N40D-RTF/HS 是一款由韩国KEC公司制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效能与高稳定性的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式技术，提供优良的导通电阻和开关特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：400V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：9A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.85Ω
功耗(Pd)：80W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220F
晶体管配置：单管
KF9N40D-RTF/HS 具备多项优良特性，包括低导通电阻、高耐压能力以及出色的热稳定性。其导通电阻Rds(on)在典型工作条件下仅为0.85Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。同时，该器件的漏源电压耐受能力达到400V，使其在高电压环境下依然能够稳定工作。
此外，该MOSFET采用了高可靠性封装技术，具备良好的散热性能和机械强度，适合在高温或高负载环境下使用。KF9N40D-RTF/HS 的栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容多种控制电路设计，并具备良好的抗干扰能力。该器件的功耗为80W，能够在较高的工作电流下保持较低的温升，进一步提升系统的稳定性与可靠性。
KF9N40D-RTF/HS 主要应用于电源管理系统、AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、LED照明驱动以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于需要高效能转换和稳定输出的开关电源设计中。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器、逆变器等设备。
KF9N40D-RTF, KF9N40D-HS, KF9N40D, 2SK2545
