类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　通道类型：双N沟道增强型
　　漏极电流（ID）：5.8A（每个通道）
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：8引脚SOIC

110162 MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，这使其具有极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件的双N沟道设计允许在一个封装内集成两个独立的MOSFET，非常适合需要紧凑布局的应用。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极电压容限，确保在各种工作条件下都能可靠运行。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　封装方面，110162采用8引脚SOIC封装，这种封装形式具有良好的散热性能，同时便于表面贴装工艺（SMT），提高了PCB组装的效率。该器件还具备较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级和汽车电子应用。
　　在可靠性方面，110162通过了严格的测试标准，具备较高的耐用性和长期稳定性，适用于要求高可靠性的应用场景。

110162 MOSFET适用于多种电源管理与功率控制应用。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及电池供电设备。由于其双N沟道结构和低导通电阻，它在电源转换效率要求较高的场合表现尤为出色。此外，该器件也常用于工业自动化控制系统和汽车电子模块中，如车载充电系统、电动工具和智能电表等设备。

Si3442DV, BSC059N03MAG, FDS6680, IRF7314