HFC0400GS-Z 时间：2025/8/20 4:26:41 阅读：23

HFC0400GS-Z 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等领域。其封装形式为 SOT-223，适用于表面贴装工艺，具有良好的热管理和空间节省能力。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：40V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：4.1A（@25°C）
　　漏极电流脉冲 Id(pulse)：16A
　　导通电阻 Rds(on)：0.043Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压 Vgs(th)：1V~2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

HFC0400GS-Z 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下，功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式 MOS 技术，使得在相同尺寸下，能够实现更高的电流承载能力和更低的开关损耗。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的工作电压，使其适用于多种驱动电路，包括由低电压微控制器控制的应用。此外，HFC0400GS-Z 的阈值电压较低，确保在较低的栅极电压下也能可靠导通，提升了系统的灵活性。
　　由于采用 SOT-223 封装，HFC0400GS-Z 在散热性能上表现优异，能够在有限的空间内提供良好的热管理。该封装形式也便于 PCB 布局和自动化生产，降低了制造成本。
　　该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力，能够在突发过电压情况下提供额外的保护，增强了器件在恶劣环境下的可靠性。

应用

HFC0400GS-Z 常用于各种电源管理应用，如同步整流器、DC-DC 降压和升压转换器、负载开关以及电池管理系统（BMS）。在便携式电子设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，该器件用于高效能电源管理电路，以延长电池寿命并减少热量产生。
　　在工业自动化和电机控制领域，HFC0400GS-Z 可用于 H 桥驱动器、PWM 控制电路和继电器替代开关。其快速开关特性和低导通电阻使其成为高频开关应用的理想选择。
　　此外，该 MOSFET 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、LED 照明驱动和车身控制模块，其宽工作温度范围和高可靠性满足了汽车环境的严苛要求。