额定电压：1200V
　　额定电流：150A
　　IGBT类型：T4（第四代IGBT技术）
　　封装形式：SEMiX
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　导通压降：约2.1V（@IC=150A）
　　反向恢复时间：约2.5μs
　　绝缘等级：符合IEC 60664-1标准

SEMIX155GD12T4 具备多项先进特性，首先其采用了赛米控独有的T4 IGBT技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了系统的整体能效。模块内部采用双二极管结构，增强了反向恢复性能，使模块在高频开关应用中表现优异。
　　该模块的封装设计采用了赛米控专利的SEMiX技术，具备优异的散热性能和机械稳定性。其底部绝缘层提供了高耐压能力，适用于各种高电压隔离要求的系统设计。此外，模块内部集成了NTC温度传感器，便于实现温度监测和保护功能，提高系统的安全性和可靠性。
　　在热管理方面，SEMIX155GD12T4 具备较低的热阻，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，延长模块的使用寿命。模块还具有良好的短路耐受能力，可在异常工作条件下提供额外的安全裕量，避免损坏主电路。
　　电气连接方面，模块采用了压接式端子设计，确保连接可靠且易于安装，适用于各种工业环境。

SEMIX155GD12T4 主要用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、电能质量调节系统（如SVG、APF）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。该模块特别适合于需要高频开关、高效率和紧凑设计的场合，例如在新能源汽车电机控制器中，该模块可以提供优异的功率转换性能和热稳定性。
　　在工业自动化领域，SEMIX155GD12T4 常用于高性能电机驱动器，支持快速动态响应和精确控制。同时，其高耐压能力和良好的短路保护特性也使其适用于电力系统中的电能转换与调节设备，如智能电网和储能系统。此外，在轨道交通领域，该模块也常用于牵引变流装置，满足高可靠性和长寿命的要求。

SKM150GB12T4, FS150R12W1T4_B11, SEMIX155GB12E4