时间：2025/8/20 20:36:39
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K9K8G08U0D是一款由三星（Samsung）生产的NAND闪存芯片，其存储容量为8GB，采用52nm工艺制造，支持SLC（单层单元）技术，提供较高的读写速度和耐用性。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业设备和消费类电子产品中。
容量：8GB
电压：2.7V - 3.6V
接口：8位NAND接口
读取速度：最高25MB/s
写入速度：最高15MB/s
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：48-pin
K9K8G08U0D采用了三星先进的52nm制造工艺，具有较高的存储密度和稳定性。其SLC技术不仅提升了芯片的耐用性，还增强了数据存储的可靠性。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，可以在数据传输过程中检测和纠正错误，从而保证数据的完整性。
此外，该芯片具有较低的功耗，适合用于对能效要求较高的设备。其高速读写性能能够满足嵌入式系统和工业控制应用对数据处理的实时性需求。芯片内置的坏块管理功能有助于延长使用寿命并提高整体系统稳定性。
这款NAND闪存芯片主要用于工业控制、医疗设备、通信设备、智能电表、数据采集系统等需要高可靠性和长期稳定运行的场合。同时，它也可以用于高端消费类电子产品，如智能穿戴设备、车载导航系统和固态硬盘控制器模块等。
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