您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > KF7N80F-FUL/PS

KF7N80F-FUL/PS 发布时间 时间:2025/12/28 15:49:05 查看 阅读:72

KF7N80F-FUL/PS 是一款由Kexin Electronics(科信电子)制造的N沟道功率MOSFET,专为高电压和高电流应用场景设计。该器件具备良好的热稳定性和低导通电阻特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类功率电子设备中。KF7N80F-FUL/PS采用了先进的沟槽式技术,使其在高频开关条件下依然保持优异的性能表现。该MOSFET通常采用TO-263(D2PAK)封装,便于散热和集成。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):800V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):7A
  导通电阻(Rds(on)):典型值1.2Ω
  功率耗散(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-263 (D2PAK)
  阈值电压(Vgs(th)):2.0V至4.0V

特性

KF7N80F-FUL/PS具有多项优异的电气和热性能特点,使其适用于多种功率应用环境。
  首先,其高达800V的漏源电压能力使其适用于高电压输入环境,如AC/DC电源转换器和工业电机控制电路。此外,该器件的低导通电阻(Rds(on))确保在高电流流过时,功耗尽可能降低,提高系统效率。
  其次,该MOSFET采用先进的沟槽式(Trench)技术,使得在高频操作条件下仍能保持较低的开关损耗,这对于开关电源(SMPS)和逆变器等应用尤为重要。
  此外,KF7N80F-FUL/PS的封装设计(TO-263/D2PAK)提供了良好的热管理能力,确保器件在高负载条件下稳定运行。其表面贴装封装形式也便于PCB布局和自动化生产。
  最后,该MOSFET具有较强的抗雪崩能力,能够在瞬态电压冲击下保持可靠运行,从而提升整个系统的稳定性与安全性。

应用

KF7N80F-FUL/PS适用于多种高电压、高功率的电子系统中。常见应用包括:开关电源(SMPS)、AC/DC转换器、DC/DC降压或升压转换器、LED照明驱动电路、电机控制、工业自动化设备以及UPS不间断电源系统。由于其具备良好的高频性能和低导通电阻,也广泛用于功率因数校正(PFC)电路和逆变器系统中。在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中,KF7N80F-FUL/PS也可作为主开关元件使用。

替代型号

KF7N80F-FUL/PF、STF7NM80、IRF7N80、FQP7N80、APT7N80

KF7N80F-FUL/PS推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价