类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：25A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大45mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

T25D80ATEPR具备多项高性能特性，适用于多种功率电子系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大为45mΩ，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗。
　　其次，该MOSFET采用Trench沟槽结构，优化了电场分布，增强了器件的雪崩能量承受能力，从而提高了系统的可靠性和耐用性。此外，其80V的漏源电压额定值使其适用于多种中高压应用，如开关电源、DC-DC变换器和电机驱动电路。
　　在热性能方面，T25D80ATEPR采用TO-252封装，具有良好的散热能力，支持高达100W的功率耗散。这使其能够在高负载条件下保持稳定工作温度，避免因过热导致的性能下降或损坏。同时，该器件支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程，提高生产效率。
　　另外，该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的12V和10V驱动电路，便于集成到现有设计中。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，提高了整体系统的能效，尤其适合高频开关应用。
　　最后，T25D80ATEPR具备良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击，确保系统在异常工况下仍能安全运行。

T25D80ATEPR广泛应用于各种功率电子设备中。在电源管理领域，该器件常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。其高效率和低导通电阻特性使其成为高效电源转换的理想选择。
　　在电机控制方面，T25D80ATEPR可用于H桥驱动电路、直流电机控制和电动工具中的功率开关。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保电机在高负载下稳定运行。
　　此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、UPS不间断电源、光伏逆变器、LED照明驱动电路以及各类消费电子产品中的功率开关模块。由于其封装形式适合表面贴装，因此特别适用于需要高密度布局的PCB设计。
　　在汽车电子领域，T25D80ATEPR可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车用DC-DC转换器，满足车载环境对高可靠性和高耐压性能的需求。

TK25D80TR, IRF1405, SiR876DP, FDP2530