KF7N65F-U/P 时间：2025/9/11 13:05:49 阅读：18

KF7N65F-U/P是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换和开关应用设计。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点。KF7N65F-U/P广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业控制设备中。作为一款N沟道增强型MOSFET，它能够在高温和高电压条件下稳定工作，是电源管理领域的重要器件之一。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：7A（在25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω（最大值1.5Ω）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：15nC（典型）
　　输入电容（Ciss）：920pF（典型）

特性

KF7N65F-U/P MOSFET采用高性能硅工艺和先进的封装技术，具备优异的开关特性和导通性能。其低导通电阻RDS(on)可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，适合高可靠性应用场景。KF7N65F-U/P的栅极设计优化了开关速度，降低了开关损耗，适用于高频开关电路。该MOSFET还具备较强的短路耐受能力，能够在突发短路情况下保护电路系统。此外，其TO-220封装提供了良好的散热性能，并便于安装在标准散热片上。KF7N65F-U/P的稳定性和可靠性使其成为电源转换器、充电器、适配器、LED驱动器等电源管理设备的理想选择。

应用

KF7N65F-U/P主要用于各种高电压和高功率的电源管理电路中，例如开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动器、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制模块。在这些应用中，KF7N65F-U/P可以作为主开关器件或同步整流器使用，提供高效、稳定的功率转换能力。此外，该MOSFET也适用于需要高压耐受能力的电源管理系统，如新能源设备、不间断电源（UPS）和工业变频器等。在电源适配器、充电器和智能电表等消费类和工业类电子产品中，KF7N65F-U/P均能提供可靠的功率控制解决方案。