时间：2025/7/2 11:26:52
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SV0805N180G0A 是一款高性能的表面贴装型 SOT-23 封装 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于负载开关、电源管理、电机驱动和信号切换等应用领域。其出色的性能使其成为便携式电子设备的理想选择。
型号：SV0805N180G0A
封装：SOT-23
漏源极电压（Vds）：30V
栅源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：180mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总功耗（Ptot）：410mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SV0805N180G0A 的主要特性包括：
1. 采用小型化的 SOT-23 封装，适合紧凑型设计。
2. 低导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗并提高效率。
3. 高开关速度，能够快速响应信号变化，降低开关损耗。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的应用。
5. 静电放电保护功能，提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该器件适用于以下应用场景：
1. 手机和平板电脑中的负载开关和电源管理。
2. USB 接口保护和过流保护电路。
3. 小型电机驱动和控制。
4. 信号切换和隔离。
5. 电池供电设备中的高效功率转换。
6. 各类便携式电子产品中的节能设计。
SI2302DS, AO3400A
