STW21N65M5 时间：2025/7/22 7:48:15 阅读：16

STW21N65M5 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件基于先进的MDmesh? M5技术，专为高效率电源转换系统设计，如开关电源（SMPS）、电池充电器、电机驱动器和DC-DC转换器等。其高击穿电压（650V）和较大的连续漏极电流（21A）使其适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：21A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：47nC（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

STW21N65M5采用了意法半导体的MDmesh? M5技术，该技术优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，提高了整体效率。由于其低Rds(on)和低栅极电荷（Qg），该器件在高频开关应用中表现出色，减少了能量损耗并提高了系统的功率密度。此外，该MOSFET具有优异的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高应力工作条件下的可靠性。STW21N65M5还具备高热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于对散热要求较高的工业级应用。
　　该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和散热设计。TO-247封装还提供了良好的电气绝缘性能，适合高电压应用。STW21N65M5符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的设计要求。

应用

STW21N65M5广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。典型应用包括交流-直流（AC-DC）转换器、直流-直流（DC-DC）转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和大电流能力，该器件也非常适合用于高功率LED照明系统和电动汽车（EV）相关电源管理系统。此外，STW21N65M5还可用于家电中的功率控制电路，如微波炉、电烤箱等电器的电源部分。