KF5N50FSA-U/PSF 是一款由 KEC Corporation(现为KEC Corporation,韩国电子元件制造商)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电压和高功率应用,适用于电源管理、开关模式电源(SMPS)、逆变器和电机控制等场景。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性,使其在多种工业和消费类电子设备中广泛应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):500V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):5A(连续)
功耗(PD):60W
导通电阻(RDS(on)):≤1.2Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220F
KF5N50FSA-U/PSF 功率MOSFET具有多个关键特性,使其在高性能电源系统中表现出色。首先,其漏源电压额定值为500V,能够承受高电压应力,适用于高压开关应用。其次,该器件的导通电阻较低,通常不超过1.2Ω,从而降低了导通损耗并提高了系统效率。此外,该MOSFET的封装形式为TO-220F,具备良好的散热性能,确保在高功率操作下的稳定性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±30V,具有较强的抗过压能力,同时其栅极阈值电压通常在2V至4V之间,确保了快速开关动作和稳定的导通状态。KF5N50FSA-U/PSF 的最大漏极电流为5A,在短时脉冲条件下可承受更高的电流,满足瞬态负载需求。该器件的热阻(RθJA)较低,增强了在高温环境下的可靠性。
此外,该MOSFET具备出色的雪崩击穿耐受能力,能够在过压或瞬态条件下提供一定的保护功能。这种特性在开关电源、DC-DC转换器和马达驱动器中尤为重要,有助于提升系统的整体稳定性与安全性。
KF5N50FSA-U/PSF 广泛应用于各种需要高电压和中等功率开关能力的电子设备中。常见的应用场景包括开关模式电源(SMPS)、LED驱动电源、适配器、电池充电器以及工业控制系统的电源模块。此外,该器件也适用于逆变器、马达控制电路和家用电器中的电源管理部分。
在开关电源设计中,KF5N50FSA-U/PSF 可作为主开关元件,用于实现高效的能量转换。由于其较低的导通电阻和良好的热管理性能,能够有效减少能量损耗,提高电源转换效率。在马达控制应用中,该MOSFET可用于H桥电路中的开关元件,实现对直流马达或步进马达的精确控制。
该器件也适用于高电压DC-DC转换器和太阳能逆变器系统中,作为核心的功率开关元件。在这些应用中,KF5N50FSA-U/PSF 的高耐压能力和良好的导通特性使其成为可靠的选择。此外,在工业自动化设备和智能家电中,该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀和其他高功率负载。
KIA5N50F / 2SK2545 / IRF840 / FQP5N50C / FQA5N50C