时间：2025/7/9 1:51:37
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PTVSHC3N15VUL1 是一款基于超结技术的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），由英飞凌（Infineon）公司生产。该器件采用 TO-Leadless 封装，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，适用于多种功率转换应用，如开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等。这款 MOSFET 通过优化的芯片设计和封装技术，能够显著提高系统的效率和可靠性。
超结 MOSFET 的主要优势在于其在高频工作条件下的低损耗表现，同时能够在较高的电压下保持较低的导通电阻，这对于现代电力电子设备的设计至关重要。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：28A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：74nC
输入电容：2050pF
反向恢复时间：85ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
PTVSHC3N15VUL1 具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高频率开关能力，适合用于高频功率转换应用。
3. 热稳定性强，能够在较高温度下可靠运行。
4. 使用超结技术实现更高的功率密度。
5. 具备快速的反向恢复时间，减少了开关过程中的能量损失。
6. 小型化的 TO-Leadless 封装，提高了 PCB 布局的灵活性并改善了散热性能。
PTVSHC3N15VUL1 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动车充电设备
7. LED 驱动器
由于其高效能和高可靠性，该器件非常适合需要高性能功率管理的应用场景。
IPW150N03L4_G7
BSC028N12NS3
IRFB4110TRPBF
