USR1V4R7MDD 是一款由 Vishay Siliconix 生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用 SMC(DO-214AB)封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,配置为共阴极对结构,适用于需要高效率整流和快速开关响应的电路设计。由于其低正向压降和快速恢复特性,USR1V4R7MDD 被广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、反向电压保护以及高频整流应用中。该器件具有优良的热稳定性和可靠性,适合在紧凑型电子设备中使用,如便携式消费电子产品、工业控制模块和通信设备。此外,USR1V4R7MDD 符合 RoHS 指令要求,并具备 MSL(湿度敏感等级)1 级认证,表明其可在标准环境条件下长期储存而不影响焊接性能。其塑料模压封装提供了良好的机械强度和电气绝缘性能,同时有助于提高散热效率,确保在较高功率密度下的稳定运行。
型号:USR1V4R7MDD
制造商:Vishay Siliconix
封装类型:SMC (DO-214AB)
二极管配置:双共阴极对
最大重复反向电压 (VRRM):40V
平均整流电流 (IO):1.0A(单个二极管)
峰值正向浪涌电流 (IFSM):30A(8.3ms 半正弦波)
最大正向电压 (VF):0.51V @ 1.0A, 25°C
最大反向漏电流 (IR):0.1mA @ 40V, 25°C;10mA @ 40V, 125°C
工作结温范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围 (TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻抗 (RθJA):约 150°C/W(典型值,依PCB布局而定)
热阻抗 (RθJC):约 25°C/W
USR1V4R7MDD 的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这使得它相较于传统的 PN 结二极管具有更低的正向导通压降。在 1A 的工作电流下,其典型正向压降仅为 0.51V,显著降低了导通损耗,从而提升了整体系统的能效。这一特性尤其适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景,例如移动终端、可穿戴设备和物联网节点。由于没有少数载流子的存储效应,该器件表现出极快的开关速度,反向恢复时间几乎可以忽略不计,有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),这对于高频开关电源(如 DC-DC 变换器)至关重要。
该器件内部集成两个独立的肖特基二极管并以共阴极方式连接,这种结构常用于全波整流电路或同步整流拓扑中,能够简化 PCB 布局并节省空间。每个二极管可承受最高 40V 的反向电压和 1A 的持续整流电流,在瞬态条件下还能耐受高达 30A 的浪涌电流,展现出良好的过载能力。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 +150°C)使其能够在极端环境下可靠运行,适用于工业级和汽车级应用场景。
封装方面,SMC(DO-214AB)是一种标准化的表面贴装封装,具备优良的散热性能和机械稳定性。较低的热阻(RθJC ≈ 25°C/W)意味着热量可以从芯片高效传递到 PCB,避免局部过热导致性能下降或失效。此外,该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准,不含铅和其他有害物质,适合绿色电子产品制造。MSL 1 等级也意味着无需特殊防潮包装,便于自动化贴片生产流程,降低制造成本。综合来看,USR1V4R7MDD 在性能、可靠性和工艺兼容性之间实现了良好平衡,是现代高效电源系统中的理想选择之一。
USR1V4R7MDD 广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。在 DC-DC 转换器中,它常被用作输出端的续流二极管或同步整流辅助元件,利用其低正向压降减少能量损耗,提升转换效率。在 AC-DC 电源适配器和平板显示器电源模块中,该器件可用于次级侧整流电路,特别是在低压大电流输出的设计中表现优异。由于其快速响应特性,也被用于高频逆变器和开关模式电源(SMPS)中,抑制反向电压并提供可靠的电流路径。
在电池管理系统(BMS)和充电控制电路中,USR1V4R7MDD 可作为防反接保护二极管,防止因电池极性接反而损坏主控电路。其双共阴极结构特别适合构建简单的全波整流桥,替代四个分立二极管,节省 PCB 面积并简化装配流程。此外,该器件还可用于电压钳位、ESD 保护、信号解耦以及各种电源冗余设计中,例如多电源输入切换电路。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能家居设备中,USR1V4R7MDD 因其小型化封装和高能效特性而备受青睐。同时,它也适用于工业自动化设备、网络通信设备(如路由器、交换机)以及车载电子系统中的辅助电源部分。得益于其较高的温度耐受能力和环境适应性,该器件同样可用于户外设备和工业级电源单元,在恶劣环境中保持稳定运行。
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