时间：2025/9/12 8:44:28
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KF4N80F-U/PSF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，适用于高效率电源适配器、DC-DC转换器以及负载开关等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
漏源击穿电压（VDS）：800V
栅源击穿电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω（VGS=10V时）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
KF4N80F-U/PSF具有低导通电阻和高开关速度，有助于降低导通损耗和开关损耗，提高电源转换效率。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。其高耐压能力（800V VDS）使其适用于高电压应用，如AC-DC电源适配器和工业控制设备。此外，该器件封装形式为TO-220，具有良好的散热性能和机械强度。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与各类驱动电路匹配。同时，其具备良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性。KF4N80F-U/PSF还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少驱动损耗。
该器件在设计上优化了寄生电容，降低了高频工作下的开关损耗，适用于高频开关电源应用。其封装形式具备良好的绝缘性能，能够满足工业级安全标准。
KF4N80F-U/PSF常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关及工业控制设备中。由于其高耐压特性，也适用于高电压输入的电源管理系统和LED照明驱动电路。
FQP8N80C, IRF840, STF8NM80
