DSA916F 时间：2025/8/5 16:13:09 阅读：28

DSA916F 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。该 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优良的热性能，适用于需要高可靠性和高性能的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：16A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 40mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Ptot）：80W

特性

DSA916F 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），最大仅为 40mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的漏极-源极击穿电压为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压应用场景。
　　该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够有效管理功率耗散。其最大功率耗散为 80W，使其在高功率密度设计中表现优异。此外，该器件支持高达 ±20V 的栅极-源极电压，具有较强的抗过压能力，提高了使用过程中的稳定性。
　　DSA916F 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，展现出优异的热稳定性和环境适应性，适用于严苛的工作条件，如工业控制系统、汽车电子和户外电源设备等。其高可靠性设计也使得该器件在长期运行中表现出色，减少了系统维护和更换的频率。

应用

DSA916F 主要应用于各种功率电子系统，包括但不限于：高效 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统和工业自动化设备中的电源模块。其低导通电阻和高耐压特性使其成为高性能电源管理和高效率转换应用的理想选择。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、LED 照明驱动和电动助力转向系统等，满足汽车应用中对高可靠性和稳定性的要求。