时间：2025/9/12 10:00:46
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KF4N20LW-RTK/HSD 是一款由 Kinetic Technologies（以前的 Fairchild Semiconductor，现为 ON Semiconductor 的一部分）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件主要设计用于高效率、高频率的电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和负载开关等。KF4N20LW-RTK/HSD 采用了先进的平面技术，提供了良好的导通特性和快速的开关性能。其封装形式为 TSOP（Thin Small Outline Package），适合需要紧凑布局和高密度电源设计的应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：4A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：典型值 2.5Ω @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
KF4N20LW-RTK/HSD 具备多项优秀的电气特性和设计优势，适用于高频、高效的电源转换系统。其 200V 的漏源电压使其能够应对较高的输入电压波动，适用于工业电源和 AC-DC 适配器等应用。该器件的最大连续漏极电流为 4A，在适当的散热条件下能够满足中等功率等级的电流需求。
导通电阻 RDS(on) 的典型值为 2.5Ω，这在同类器件中属于较低水平，有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，该 MOSFET 支持 ±20V 的栅源电压，确保了在不同驱动条件下的稳定工作，同时具备较强的抗过压能力。
该器件采用 TSOP 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适合高密度 PCB 设计。同时，其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，能够适应较为严苛的工作环境，广泛应用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中。
KF4N20LW-RTK/HSD 的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提升电源系统的整体效率，特别是在高频率工作条件下表现优异。该器件的可靠性和稳定性经过严格的测试，确保其在长时间运行中的稳定性。
KF4N20LW-RTK/HSD 主要应用于需要高效率和紧凑设计的电源管理系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电源适配器以及工业控制设备中的功率开关部分。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性，这款 MOSFET 也适用于 LED 驱动电路、马达控制电路和各种电源管理模块中。在需要优化空间布局和提高能效的电子设备中，KF4N20LW-RTK/HSD 是一个理想的选择。
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