电容值：22μF
　　额定电压：25V
　　公差：±20%
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，容量变化≤±15%）
　　封装尺寸：1812 (4.5mm x 4.5mm)
　　直流偏置特性：中等偏置影响
　　绝缘电阻：≥1000MΩ
　　ESR（等效串联电阻）：低
　　ESL（等效串联电感）：低
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　高度：约1.25mm

C5750X7R1H226M250KB 的主要特点是使用了 X7R 温度补偿陶瓷介质，这使其能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值。此外，该型号具有较高的耐压能力（25V），适合需要较高电压稳定性的电路。其大电容值（22μF）和适中的封装尺寸（1812）使其非常适合用于电源滤波、去耦以及信号调节等应用。
　　由于采用了多层结构设计，这款电容器具备低 ESR 和 ESL 特性，能够有效减少高频下的能量损耗并提高整体性能。同时，它还具有良好的抗振动和抗冲击能力，适用于恶劣环境下的长期运行。
　　在直流偏置方面，虽然该型号存在一定的容量衰减，但通过合理设计可以将其影响降到最低，确保电路性能稳定。

C5750X7R1H226M250KB 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高稳定性和大电容值的场景下。典型应用包括：
　　1. 电源电路中的滤波与平滑处理，例如开关电源输出端或线性稳压器输入端。
　　2. 微处理器及数字电路的电源去耦，以减少噪声干扰。　　4. 工业控制设备中的储能与缓冲功能。
　　5. 汽车电子系统中的稳压与滤波，如信息娱乐系统或传感器模块。
　　6. 通信设备中的射频前端匹配网络。

C3225X7R1H226M250AB
　　C4425X7R1E226M250AA
　　GRM32DC71E226ME15