时间：2025/12/28 16:20:12
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KF4N20LW 是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源以及电池充电系统等应用中。该器件采用先进的高密度单元设计技术，提供低导通电阻和高效率的开关性能。KF4N20LW 采用TO-220或TO-252等封装形式，适用于各种高功率密度和高效率要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：≤2.5Ω（在Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220/TO-252
KF4N20LW MOSFET具备多项关键性能优势，使其在电源管理应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件具有较高的耐压能力（Vds为200V），能够适用于中高电压应用场景，如AC-DC电源转换器和工业电源设备。此外，KF4N20LW 的栅极驱动电压范围宽（±20V），允许使用标准MOSFET驱动器进行控制，增强了设计灵活性。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了产品的可靠性。其采用的封装形式（如TO-220或TO-252）不仅有助于散热，也便于在PCB上安装和焊接。KF4N20LW 的开关速度快，能够适应高频开关应用，进一步减小电源系统的体积并提升效率。这些特性使其成为开关电源、DC-DC变换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用的理想选择。
KF4N20LW MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、UPS系统、电池充放电管理系统、电机控制电路以及各种工业控制设备。此外，该器件也可用于LED照明驱动、太阳能逆变器和小型家电电源模块等对效率和体积有较高要求的场合。
IRF840, FQP4N20, STP4NK20Z, 2SK2141
