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IXYT20N120C3D1HV 发布时间 时间:2025/8/5 16:16:17 查看 阅读:22

IXYT20N120C3D1HV 是由 Littelfuse(前身为 IXYS)生产的一款高电压、高功率能力的 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),适用于高功率密度和高效能的电力电子应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性,具有良好的热稳定性和高可靠性。其设计使其适用于工业电机控制、逆变器、电源转换系统和可再生能源系统等领域。

参数

类型:N沟道IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):20A(TC=100°C)
  短路电流能力:40A(最大)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-247AC
  栅极阈值电压(VGE(th)):4.5V ~ 6.5V
  饱和压降(VCE(sat)):2.1V(典型值,IC=20A,VGE=15V)

特性

IXYT20N120C3D1HV 具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其高电压耐受能力达到 1200V,使其适用于中高压应用,如变频器、电源转换和不间断电源(UPS)系统。其次,该 IGBT 的最大集电极电流为 20A,并具备高达 40A 的短路电流承受能力,确保在瞬态过载条件下仍能稳定运行。
  此外,该器件采用了先进的沟槽栅场阻断(Trench Field Stop)技术,显著降低了导通损耗并提高了开关性能。其典型的饱和压降仅为 2.1V,在高电流条件下仍能保持较低的功耗,有助于提高系统效率并减少散热设计的负担。
  该 IGBT 的封装形式为 TO-247AC,具有良好的热传导性能,支持高效的散热管理。同时,其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ +150°C)使其适用于各种恶劣环境条件下的工业应用。
  另一个重要特性是其栅极驱动兼容性良好,栅极阈值电压在 4.5V 至 6.5V 之间,适用于标准的 15V 栅极驱动电源,简化了驱动电路的设计。

应用

IXYT20N120C3D1HV 广泛应用于多种高功率电力电子系统。其典型应用场景包括工业电机驱动、变频器、伺服控制器、电源转换器(如 DC-AC 逆变器)、不间断电源(UPS)系统以及可再生能源系统中的功率变换模块,如太阳能逆变器和风力发电变流器。
  由于其具备较高的短路耐受能力和良好的热稳定性,该 IGBT 也适用于需要高可靠性和稳定性的工业自动化设备和电动车辆的功率管理系统。此外,在感应加热和焊接设备中,该器件能够有效支持高频开关操作,提高设备效率并减小系统体积。
  在设计上,该 IGBT 可与适当的 MOSFET 或 SiC 器件配合使用,构建混合功率模块,以实现更高性能的功率转换系统。

替代型号

IXYS IXGH20N120B3H1, Infineon FF20R12KE3_S128, STMicroelectronics STGYA20SC120KD

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IXYT20N120C3D1HV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥83.15200管件
  • 系列XPT?, GenX3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)36 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)88 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)3.4V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值230 W
  • 开关能量1.3mJ(开),1mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷53 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值20ns/90ns
  • 测试条件600V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)29 ns
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
  • 供应商器件封装TO-268HV(IXYT)