MU18BCHTK 时间：2025/8/30 4:51:35 阅读：18

MU18BCHTK是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高效率的应用场景。这款MOSFET以其低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性著称，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各类工业自动化设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：180A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（最大值，@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　安装类型：通孔（Through Hole）
　　功率耗散（PD）：200W

特性

MU18BCHTK具备出色的导通性能和开关性能，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽栅极结构技术，实现了优异的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，MU18BCHTK具备高耐压特性，漏极-源极耐压（VDS）为60V，栅极-源极耐压（VGS）可达±20V，确保在高电压波动环境下仍能安全运行。
　　其TO-247封装设计有助于有效散热，提升整体可靠性，适用于高功率密度设计场景。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，可在瞬态过载情况下提供额外的保护裕量，延长设备使用寿命。

应用

MU18BCHTK常用于多种高功率电子系统中，例如：工业电源和DC-DC转换器、电动车辆和混合动力车辆的电池管理系统、电机驱动器和逆变器、不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器和储能系统、工业自动化与控制设备中的功率开关电路等。
　　在汽车电子应用中，它可用于车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）中的功率控制模块。
　　在消费类电子产品中，也适用于高性能电源适配器和大功率LED照明驱动器。
　　由于其优异的热管理和高可靠性，该MOSFET还广泛应用于需要长时间连续运行的工业设备中。