MU18BCHTK是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高效率的应用场景。这款MOSFET以其低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性著称,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各类工业自动化设备。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):180A
漏极-源极电压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ(最大值,@VGS=10V)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
安装类型:通孔(Through Hole)
功率耗散(PD):200W
MU18BCHTK具备出色的导通性能和开关性能,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。
该器件采用了先进的沟槽栅极结构技术,实现了优异的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下稳定工作。
此外,MU18BCHTK具备高耐压特性,漏极-源极耐压(VDS)为60V,栅极-源极耐压(VGS)可达±20V,确保在高电压波动环境下仍能安全运行。
其TO-247封装设计有助于有效散热,提升整体可靠性,适用于高功率密度设计场景。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力,可在瞬态过载情况下提供额外的保护裕量,延长设备使用寿命。
MU18BCHTK常用于多种高功率电子系统中,例如:工业电源和DC-DC转换器、电动车辆和混合动力车辆的电池管理系统、电机驱动器和逆变器、不间断电源(UPS)系统、太阳能逆变器和储能系统、工业自动化与控制设备中的功率开关电路等。
在汽车电子应用中,它可用于车载充电器(OBC)和电动助力转向系统(EPS)中的功率控制模块。
在消费类电子产品中,也适用于高性能电源适配器和大功率LED照明驱动器。
由于其优异的热管理和高可靠性,该MOSFET还广泛应用于需要长时间连续运行的工业设备中。
SiHF180N60E、IPB180N06S4-03、IRFP4468PBF