时间：2025/12/28 15:28:46
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KF3N60是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），常用于开关电源、DC-DC转换器以及各类功率电子设备中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点，适合于中高功率应用。KF3N60采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够满足多种工业级应用需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（Id）：3A
漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值2.2Ω
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
KF3N60具有出色的电气特性和稳定性，其主要特点包括高耐压能力（600V）和较低的导通电阻（2.2Ω），这使得它在高电压应用中能够保持较低的功率损耗。此外，KF3N60具备良好的热稳定性和抗过载能力，可以在高温环境下稳定工作。
KF3N60的TO-220封装不仅提供了优良的散热性能，还确保了与标准PCB的兼容性，便于安装和使用。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），使得驱动电路设计更加灵活。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和短路保护特性，能够在异常工况下提供更高的可靠性。这些特性使其成为许多工业电源和电机控制电路中的优选器件。
KF3N60广泛应用于各类电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、LED驱动电源、逆变器、电机控制器、充电器、电焊机以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和良好的热稳定性，特别适用于需要高可靠性的电源转换系统。
K2647, IRF740, FQP3N60C
