时间：2025/9/12 8:41:30
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KF11N50F-U/PS 是一款由Koryo（高丽半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于电源管理和高电压开关应用。该器件采用先进的平面条形工艺和高密度芯片设计，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。KF11N50F-U/PS 通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路中，以提供高效、可靠的功率控制。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：11A
导通电阻（RDS(on)）：≤0.42Ω
功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
KF11N50F-U/PS 具备一系列优异的电气和热性能特性，使其在中高功率应用中表现出色。
首先，其高耐压能力（500V VDS）使其适用于多种高压电路，如电源适配器、充电器和照明驱动电路。此外，该器件的低导通电阻（RDS(on) ≤ 0.42Ω）可以显著降低导通损耗，提高系统效率，有助于实现更高的能量转换效率。
该MOSFET采用了先进的封装技术（TO-220），具有良好的热传导性能，能够在较高功率下保持稳定的运行。其最大连续漏极电流为11A，支持在中等电流条件下进行高频率开关操作，从而提高系统的响应速度和效率。
KF11N50F-U/PS 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在严苛的工况下保持稳定运行，提升系统的可靠性和使用寿命。此外，其±30V的栅源电压耐受能力使其在驱动电路设计中更具灵活性，能够兼容多种驱动电路结构。
综合来看，KF11N50F-U/PS 是一款适用于多种功率转换和控制应用的高性能MOSFET器件，具备低损耗、高可靠性和良好的热管理能力。
KF11N50F-U/PS 广泛应用于各类电力电子系统中，尤其是在需要高电压和中等电流处理能力的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、LED驱动器、电机控制器、逆变器、充电设备以及各种工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于需要高效率和紧凑设计的家用电器和工业设备中，如变频空调、UPS不间断电源和电子镇流器等。
FQP11N50C、IRF740、STF11NM50N、2SK2142、2SK2545
